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Si4470EY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
0.020
4000
3500
0.015
V GS = 6 V
3000
2500
C iss
0.010
0.005
V GS = 10 V
2000
1500
1000
500
C oss
0.000
0
C rss
0
10
20
30
40
50
0
15
30
45
60
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.1
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V DS = 30 V
I D = 5 A
1.8
V GS = 10 V
I D = 5 A
8
1.5
6
4
1.2
0.9
0.6
2
0.3
0
0.0
0
10
20
30
40
50
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.10
0.08
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 5 A
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.06
10
0.04
0.02
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71606
S10-2137-Rev. D, 20-Sep-10
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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